RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3026
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link