RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1426
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link