RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1998
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link