RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3047
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link