RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3047
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link