RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3371
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link