RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2929
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link