RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2981
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link