RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3639
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link