RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
47
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
47
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2875
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link