RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3072
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link