RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3462
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link