RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3462
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link