RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2870
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link