RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
45
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3542
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link