RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
56
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
56
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2761
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link