RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2734
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link