RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2942
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link