RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3568
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link