RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2750
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link