RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2920
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link