RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3055
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link