RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3055
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link