RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3055
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link