RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3409
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link