RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2570
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link