RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2974
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link