RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2892
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link