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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
14,740.4
16.5
写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2892
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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