RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3100
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link