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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
45
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3100
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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