RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3409
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link