RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4230
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link