RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3327
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link