RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3964
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link