RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3199
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link