RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4033
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link