RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
4033
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link