RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4243
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link