RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
4243
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link