RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3192
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link