RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
104
Wokół strony -420% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3395
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link