RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3890
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT12GX3M3A2000C9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link