RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
45
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
16
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3906
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link