RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3653
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link