RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
45
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
17.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3653
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link