RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3576
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link