RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3420
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link