RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3420
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link