RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3420
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link