RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3420
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link