RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link